TCAD Source Code

프로젝트에서 사용한 Sentaurus command 전문을 연구 발전 단계별로 공개합니다. 아래 파일을 누르면 현재 페이지 위에 코드 뷰어가 열립니다.

1. 최종 발표의 기본 DMG 코드 세트

최종 발표의 scaling 및 parameter-screening 단계에서 사용한 기본 SProcess–SDevice–SVisual 흐름입니다.

이 세 파일은 같은 Workbench project에서 다음 순서로 사용되는 한 세트입니다.

SProcess
→ TDR structure
→ SDevice Low/High-Vd Id–Vg
→ SVisual metric extraction

2. SiO₂ gate-leakage baseline

GateS와 GateD terminal current를 분리하고 gate tunneling을 비교한 코드 세트입니다.

주요 추가 기능:

• GateS/GateD current extraction
• IgTotal = |IgS| + |IgD|
• Low-Vd/High-Vd gate-current 비교
• Thin-SiO₂ leakage 확인

3. High-K EOT 1.6 nm 및 gate-ratio 분석

High-K stack, GateS/GateD ratio parameterization, corrected Vtgm과 constant-current DIBL을 포함한 주 검증 세트입니다.

주요 추가 기능:

• SiO₂ interfacial layer/HfO₂ stack
• EOT 약 1.6 nm 유지
• GateS/GateD 길이 비율 parameterization
• GateS/GateD별 NonLocal tunneling mesh
• corrected Vtgm
• constant-current Vth
• signed/absolute DIBL과 valid flag

4. Variable-EOT extension

HfO₂ 두께를 EOT 목표값에 맞춰 계산하는 확장 세트입니다.

이 확장은 후속 연구 자산이며, 최종 학회 발표의 핵심 결과는 EOT ≈ 1.6 nm 조건을 사용했습니다.

공개 범위와 한계

공개된 코드는 프로젝트에서 실제 사용한 representative command 전문입니다. 동일한 절대값 재현에는 다음 조건이 필요합니다.

• Synopsys Sentaurus T-2022.03
• 유효한 license와 server environment
• 동일한 Workbench variable 등록
• 동일한 node dependency와 file prefix
• mesh, material parameter와 tunneling model 설정

코드와 결과의 정확한 연결은 재현 방법과 코드 매핑에서 확인할 수 있습니다.