02. Preliminary Coursework
이 단계에서 확인할 내용
| Item | Description |
|---|---|
| Purpose | Sentaurus 공정 흐름과 parameter sweep 해석 방법 학습 |
| Method | 구조 비교, TDR checkpoint, Lg/GOxTime/LDD sweep |
| Parameters | Lg, GOxTime, LDD_Dose, SD_Dose |
| Output | 공정 구조 변화와 Id–Vg 경향 파악 |
| Source | Preliminary TDR example |
최종 pMOS 과제 전에 nMOS SimpleMOS 예제를 이용해 Sentaurus Workbench, SProcess, SDevice, SVisual의 기본 흐름을 익혔습니다. 이 과정은 최종 최적화의 기준 조건과 DOE 해석 방법을 정리하는 선행 단계였습니다.
1. Structure Comparison
Figure. 초기 실습에서 비교한 MOS 구조와 도핑 분포.
구조 화면을 통해 gate, spacer, Source/Drain, well 영역이 공정 command에 따라 어떻게 형성되는지 확인했습니다.
2. Process Checkpoints
Figure. 선행 실습에서 저장한 공정 단계별 TDR 구조.
공정 직후마다 TDR을 저장해 oxide, poly, implant, spacer, anneal, metal 단계가 의도한 순서로 진행되는지 확인했습니다.
3. Parameter Sweep
Figure. Lg, GOxTime, LDD 조건 변화에 따른 Workbench 결과와 Id–Vg 변화.
Lg
- 짧은 gate length는 더 높은 current를 보일 수 있지만 leakage와 short-channel effect에 불리할 수 있음
- 긴 gate length는 gate control에 유리하지만 current가 감소할 수 있음
GOxTime
- 산화 시간이 증가하면 oxide thickness가 증가
- Vtgm과 SS가 변하고 drive current가 감소하는 경향을 확인
LDD_Dose
- extension resistance와 drain-side electric field 사이의 trade-off를 확인
- 최종 pMOS 최적화에서 dose와 energy를 분리해 비교해야 할 필요성을 확인
Role in the Final Project
선행 실습의 목적은 최종 조건을 확정하는 것이 아니라 다음 작업을 수행할 수 있는 기반을 만드는 것이었습니다.
- Workbench parameter split 구성
- 공정 단계별 TDR 저장
- Id–Vg curve 비교
Vtgm,Id,SS,gm결과 해석- 공정 parameter와 전기적 특성 연결
Summary:
The preliminary coursework established the Sentaurus workflow, TDR verification method, and parameter-sweep interpretation used in the final pMOS project.