Results and Data
두 최적화 방식에서 선정한 최종 후보와 공개 CSV를 정리합니다.
최종 후보 비교
| Metric | Numerical Method | Plot-Based Method | Interpretation |
|---|---|---|---|
| LDD_Dose / LDD_E | 7e13 / 7 keV |
3e13 / 3 keV |
plot method가 낮은 LDD 조건 선택 |
| SD_Dose / SD_E | 4e16 / 23 keV |
5e16 / 10 keV |
junction 조건의 trade-off 차이 |
| RTA | 5 s | 3 s | plot method가 짧은 anneal 선택 |
| Spacer_Dep | 0.25 | 0.30 | leakage와 resistance 균형 차이 |
| Ion | 1.474e-04 A/µm |
1.35e-04 A/µm |
plot method 약 9.2% 낮음 |
| Ioff | 1.547e-15 A/µm |
4.93e-16 A/µm |
plot method 약 68.1% 낮음 |
| SS | 85.660 mV/dec | 85.181 mV/dec | plot method 약 0.56% 낮음 |
| gm | 1.044e-04 |
9.91e-05 |
plot method 약 5.3% 낮음 |
Plot-based 조건은 Ion과 gm이 조금 낮지만 목표 Ion을 충분히 만족했고, Ioff와 SS가 개선되어 최종 대표 조건으로 선정했습니다.
최종 조건
| Parameter | Final Value |
|---|---|
| Lg | 0.25 |
| GOxTime | 10 |
| NWell | 1e17 cm^-3 |
| LDD_Dose / LDD_E | 3e13 cm^-2 / 3 keV |
| SD_Dose / SD_E | 5e16 cm^-2 / 10 keV |
| RTA | 3 s at 1000 °C |
| Spacer_Dep | 0.30 |
| Vg / Vd | -2.5 V / -1.0 V |
성능 검증
| Metric | Result | Target | Check |
|---|---|---|---|
| Vtgm | -1.1421 V | Negative pMOS threshold | Pass |
| Ion | 1.35e-04 A/µm |
> 1e-5 |
Pass |
| Ioff | 4.93e-16 A/µm |
< 1e-14 |
Pass |
| SS | 85.181 mV/dec | < 100 |
Pass |
| Vg0_actual | 0 V | 0 V | Verified |
| VgIon_actual | -2.5 V | -2.5 V | Verified |
공개 데이터
최종 조건은 평가한 split 범위에서 선정한 balanced condition이며, 모든 가능한 조합의 global optimum을 의미하지 않습니다.