Sanghyeon Ju

TCAD · DUAL-METAL-GATE MOSFET

Results and Data

Results and Data

결과 파일은 연구 단계가 서로 섞이지 않도록 분리했습니다.

File Stage Description
Scaling baseline CSV A 0.25/0.10/0.028 μm Single–Dual baseline
Selected conditions CSV B Scale별 parameter-screening selected conditions
SiO₂ gate leakage CSV C Leakage-follow-up Id/Ig data
High-K comparison CSV D Same-EOT SiO₂ and SiO₂ IL/HfO₂ comparison
Gate-ratio trade-off CSV E 6:4–3.5:6.5 ratio raw data

각 stage의 조건과 extraction 신뢰성은 Data Lineage and DIBL Reliability에 정리했습니다.