Final Conference Presentation
발표 정보
| Item | Description |
|---|---|
| Title | Dual-Metal Gate를 이용한 미세 MOSFET의 SCE 및 Leakage Current 개선 효과 분석 |
| Event | 숭실대학교 차세대반도체학과 특별세션 |
| Presenters | 이선재, 주상현 |
| Slides | 26 |
| Status | Final conference presentation |
발표 흐름
- Work-Function Engineering의 필요성
- 선행연구와 연구 방향 설정
- Dual-Metal Gate 가설과 DIBL 평가 방법
- SProcess 기반 GateS/GateD 구현
- Lg = 0.25, 0.10, 0.028 μm 검증과 조건 screening
- DIBL 특이값과 결과 신뢰성 검토
- Thin-SiO₂ gate leakage 문제 발견
- High-K gate stack 적용
- GateS/GateD 비율 변화 실험
- 결론, 한계와 GAA·CFET 후속 연구 방향
최종 발표자료가 이 포트폴리오의 연구 흐름과 결론 범위를 정하는 기준입니다.
AI assistance disclosure
OpenAI ChatGPT는 TCAD command 초안·수정, debugging 방향, metric-extraction logic, 발표자료 및 포트폴리오 구조화를 보조했습니다. 모든 simulation result는 Sentaurus Workbench에서 직접 실행한 결과를 확인해 사용했습니다.